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申请/专利权人：合芯科技(苏州)有限公司;合芯科技有限公司
摘要：本申请涉及一种版图的布局方法、装置和集成电路版图结构。所述方法包括：分别获取第一晶体管单元的第一版图以及第二晶体管单元的第二版图，然后去除第一版图中第一目标晶体管的第一导电限位线，以及去除第二版图中第二目标晶体管的第二导电限位线，并将第一目标晶体管的目标极与第二目标晶体管的目标极重叠设置。本申请能够通过对最底层的多个晶体管进行拼接，实现多个晶体管之间的源源、漏漏和源漏共用，并且将连接信号端如电源端、接地端的源漏极设于与导电限位线相邻的位置，从而能够对次底层的多个晶体管单元进行拼接，实现多个晶体管单元中连接同一信号端的源漏极的共用，减小了版图面积。
主权项：1.一种版图的布局方法，其特征在于，所述方法包括：分别获取第一晶体管单元的第一版图以及第二晶体管单元的第二版图；其中，所述第一晶体管单元包括至少一个第一晶体管，所述第二晶体管单元包括至少一个第二晶体管，各所述晶体管的版图包括沿第一方向排布的栅极、位于所述栅极两侧的源极、漏极，以及分别位于所述源极外侧、所述漏极外侧的两个导电限位线；所述导电限位线用于限位；去除所述第一版图中第一目标晶体管的第一导电限位线，以及去除所述第二版图中第二目标晶体管的第二导电限位线；其中，所述第一导电限位线与所述第一目标晶体管的目标极相邻设置，所述第二导电限位线与所述第二目标晶体管的目标极相邻设置，所述目标极为所述源极和所述漏极之一；将所述第一版图中所述第一目标晶体管的目标极与所述第二版图中所述第二目标晶体管的目标极重叠设置；其中，所述重叠设置表示去除所述第一版图中第一目标晶体管的目标极，且保留所述第二版图中第二目标晶体管的目标极，并将去除目标极后的第一版图和所述第二版图沿所述第一方向进行拼接；或者，所述重叠设置表示保留所述第一版图中第一目标晶体管的目标极，且去除所述第二版图中第二目标晶体管的目标极，并将所述第一版图和去除目标极后的第二版图沿所述第一方向进行拼接。
全文数据：
权利要求：
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