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申请/专利权人：湖南进芯电子科技有限公司

摘要：一种版图密度自适应填充方法，涉及半导体技术领域，包括：S1、根据芯片生产设计要求尺寸计算版图各层在各尺寸下的密度；S2、通过芯片生产设计要求尺寸密度与版图各层各尺寸密度情况按照预设密度调整方式进行相互调整；S3、识别版图中匹配区域，以第一填充密度目标值进行填充；S4、识别版图中小线宽区域，以第二填充密度目标值对小线宽区域进行冗余填充；S5、根据版图各层全芯片密度要求调整预设填充区域密度，对剩余区域进行填充；S6、检查版图各层顶层密度情况是否满足芯片生产设计要求的各层全芯片密度要求。本发明能够根据不同区域的特性智能调整区域密度，使得填充后的版图密度更均匀，减少不必要的噪声引入，提高了产品的性能。

主权项：1.一种版图密度自适应填充方法，其特征在于，包括：S1、根据芯片生产设计要求尺寸计算版图各层在各尺寸下的密度,获取到版图各层各尺寸密度情况；S2、通过芯片生产设计要求尺寸密度与所述版图各层各尺寸密度情况按照预设密度调整方式进行相互调整后，计算版图各层平均密度、芯片生产设计要求平均密度及版图各层密度众数；比较版图各层平均密度、芯片生产设计要求平均密度及版图各层密度众数三个值，将其中最小值作为第一填充密度目标值，中间值作为第二填充密度目标值，最大值作为第三填充密度目标值；步骤S2中所述预设密度调整方式具体包括：若ZAnBnMAX-TAnBnMIN＞0，则ZAnBnMAX=ZAnBnMAX；若ZAnBnMAX-TAnBnMIN＜0，则ZAnBnMAX=TAnBnMIN；其中，ZAnBnMAX为版图各层各尺寸密度情况中An层Bn尺寸中最大密度；TAnBnMIN为芯片生产设计要求密度中An层Bn尺寸最小密度；若ZAnBnMIN-TAnBnMIN＞0，则ZAnBnMIN=ZAnBnMIN；若ZAnBnMIN-TAnBnMIN＜0，则ZAnBnMIN=TAnBnMIN；其中，ZAnBnMIN为版图各层各尺寸密度情况中An层Bn尺寸中最小密度；TAnBnMIN为芯片生产设计要求密度中An层Bn尺寸最小密度；步骤S2中计算版图各层平均密度、芯片生产设计要求平均密度及版图各层密度众数具体为：先求得版图各层各尺寸的平均密度ZAnBnAVG=ZAnBnMIN+ZAnBnMAX2,然后将各尺寸的平均密度相加再取平均得到版图各层平均密度；先求得芯片生产设计要求各层各尺寸的平均密度TAnBnAVG=TAnBnMIN+TAnBnMAX2,然后将各尺寸的平均密度相加再取平均得到芯片生产设计要求平均密度；根据所述版图各层各尺寸密度情况中的密度众数求平均值得到版图各层密度众数；S3、识别版图中匹配区域，以第一填充密度目标值进行填充；S4、识别版图中小线宽区域，以第二填充密度目标值对小线宽区域进行冗余填充；S5、根据填充后版图图像再次获取版图各层各尺寸密度情况，根据版图各层全芯片密度要求调整预设填充区域密度，对剩余区域进行填充；S6、检查版图各层顶层密度情况是否满足芯片生产设计要求的各层全芯片密度要求，若未满足则采用逐次逼近公式对预设填充区域密度进行调整，重新对剩余区域进行填充，直到满足要求。

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