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申请/专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
摘要：本发明公开了一种提高模拟开关耐ESD能力的电路版图，在不增加工艺层次改变工艺流程的前提下，将主体开关中的NMOS串联个数增加为2以上，搭配传统的栅极信号控制电路和Body电压控制电路，提高了内部电路的击穿电压，保证ESD发生时候能够安全的保障外部ESD的NMOS先于内部主体NMOS击穿，使ESD能够得到有效的泄放。
主权项：1.一种提高模拟开关耐ESD能力的电路版图，其特征在于，包括：场效应管N1、场效应管N2和场效应管P1；所述场效应管N1的第一引脚作为所述提高模拟开关耐ESD能力的电路版图的输入端，所述场效应管N1的第一引脚还与所述场效应管P1的第一引脚连接，所述，所述场效应管N1的第二引脚与所述场效应管N2的第一引脚连接，所述场效应管N2的第二引脚作为所述提高模拟开关耐ESD能力的电路的输出端，所述场效应管N2的第二引脚还与所述场效应管P1的第二引脚连接；所述场效应管N1的栅极、所述场效应管N2的栅极和所述场效应管P1的栅极均与栅极电压控制电路连接；所述场效应管N1的体极、所述场效应管N2的体极和所述场效应管P1的体极均与Body电压跟随电路连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 甘肃省科学院传感技术研究所 一种提高模拟开关耐ESD能力的电路版图
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