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申请/专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要：本发明提供了一种优化碳化硅晶片单抛几何参数的工艺，通过对晶片在陶瓷盘上不同位置的去除量进行计算分析，在翻面贴蜡时，对晶片进行180°旋转；通过对称方式使得对碳化硅晶片去除量均匀，最终使得晶片厚度均匀；该种优化方式，不仅改善了碳化硅晶片的几何参数，还优化了晶片的面型，使得塌边现象大大减少；工艺通过大量数据统计分析，此种方式对碳化硅晶片TTV改善最为明显。为了避免作业人员出错，每次贴蜡前需要人工选择甩蜡偏移角度，故设定不同配方，员工在贴片前确定贴蜡面，选择相应的配方即可；这种方式不仅方便作业员操作，也避免了人员犯错；通过本发明设计能在不同批次、不同厚度碳化硅晶片中实现。
主权项：1.一种优化碳化硅晶片单抛几何参数的工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、粗抛Si面前，控制碳化硅晶片的定位边朝向第一方向，实现对Si面的粗抛；S2、粗抛C面前，控制碳化硅晶片翻转，控制碳化硅晶片的定位片朝向第二方向，实现对C面的粗抛；上述的第一方向和第二方向完全相反，使得晶片边缘去除量呈对称减少，从而使碳化硅晶片厚度均匀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽微芯长江半导体材料有限公司 一种优化碳化硅晶片单抛几何参数的工艺
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