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申请/专利权人：青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅复合衬底的制备方法及碳化硅复合衬底和应用。所述制备方法包括以下步骤：1将两片碳化硅单晶衬底进行Si面键合，得到两侧外表面均为C面的碳化硅单晶键合体；2对碳化硅单晶键合体的两侧外表面进行离子注入，两侧外表面均形成弱化层；3将离子注入后的碳化硅单晶键合体的两侧外表面分别与支撑衬底键合，得到第一复合衬底；4将第一复合衬底沿弱化层断开，得到两片待修复碳化硅复合衬底和可回收利用的碳化硅单晶键合体，对待修复碳化硅复合衬底进行退火处理，得到所述碳化硅复合衬底。本发明解决了单片C面注入产生的翘曲问题，提高了生产效率，碳化硅单晶衬底的利用率得到了提升，降低了成本。
主权项：1.一种碳化硅复合衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1将两片碳化硅单晶衬底进行Si面键合，得到两侧外表面均为C面的碳化硅单晶键合体；2对步骤1得到的碳化硅单晶键合体的两侧外表面进行离子注入，两侧外表面均形成弱化层；3将离子注入后的碳化硅单晶键合体的两侧外表面分别与支撑衬底键合，得到第一复合衬底；4将第一复合衬底沿弱化层断开，得到两片待修复碳化硅复合衬底和可回收利用的碳化硅单晶键合体，对待修复碳化硅复合衬底进行退火处理，得到所述碳化硅复合衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 一种碳化硅复合衬底的制备方法及碳化硅复合衬底和应用
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