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包括接合衬底的半导体装置及其制造方法 

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申请/专利权人:三星电子株式会社

摘要:提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:第一衬底,其具有包括第一电子元件的第一半导体层、在第一半导体层上的第一绝缘层、在第一绝缘层中并通过第一衬底的第一侧被暴露的第一导电焊盘和在第一绝缘层中连接到第一半导体层的第一布线;以及第二衬底,其附接到第一衬底的第一侧,并具有包括第二电子元件的第二半导体层、在第二半导体层上的第二绝缘层、在第二绝缘层中的第二布线、穿透第二半导体层并连接到第二布线的通孔件和连接通孔件与第一衬底的第一导电焊盘的第二导电焊盘,第二导电焊盘的至少一部分在第二半导体层中。

主权项:1.一种半导体装置,包括:第一衬底,其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,所述第一衬底包括:第一半导体层,在所述第一半导体层中具有第一电子元件,第一绝缘层,其在所述第一半导体层上,第一导电焊盘,其在所述第一绝缘层中并通过所述第一侧被暴露,以及第一布线,其在所述第一绝缘层中,所述第一半导体层连接到所述第一布线;以及第二衬底,其附接到所述第一衬底的所述第一侧,所述第二衬底包括:第二半导体层,在所述第二半导体层中具有第二电子元件,第二绝缘层,其在所述第二半导体层上,第二布线,其在所述第二绝缘层中,通孔件,其穿透所述第二半导体层并且连接至所述第二布线;以及第二导电焊盘,其连接所述通孔件和所述第一衬底的所述第一导电焊盘,所述第二导电焊盘的至少一部分在所述第二半导体层中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 包括接合衬底的半导体装置及其制造方法

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