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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明实施例涉及集成电路制造方法。一种集成电路制造方法，包括有：接收初始集成电路设计布局，所述初始集成电路设计布局包括有m*n个集成电路区，所述集成电路区排列成m列与n行的阵列，且各所述集成电路区内包括有相同的初始集成电路图案；对各所述集成电路区内的所述初始集成电路图案分别进行第一光学近接校正OPC，且所述第一POC共包括有m*n*l‑1次反复操作；将所述阵列中设置于同一列的多个所述集成电路区定义为同一组；以及分组进行第二OPC，以获得校正后集成电路设计布局。
主权项：1.一种集成电路制造方法，包括有：接收原始集成电路设计布局，所述原始集成电路设计布局包括有m*n个集成电路区，所述集成电路区排列成m列与n行的阵列，且各所述集成电路区内包括有相同的原始集成电路图案；对各所述集成电路区内的所述原始集成电路图案分别进行第一光学邻近校正；将所述阵列中设置于同一列的多个所述集成电路区定义为同一组；以及分组进行第二光学邻近校正，以获得校正后集成电路设计布局，其中所述第一光学邻近校正操作共包括m*n*l-1次反复操作，其中l为任一集成电路区的预定运算总次数；及其中所述第二光学邻近校正操作共包括m次反复操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路制造方法
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