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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本公开提供了一种半导体器件、集成电路及电子设备，涉及半导体芯片技术领域，用于实现电场的有效调制，提高半导体器件的耐压水平以及稳定性；半导体器件包括：衬底、沟道层、势垒层、P型Ⅲ族氮化物层、第一极、第二极和控制极；在向衬底的正投影中，控制极位于P型Ⅲ族氮化物层以内；其中，P型Ⅲ族氮化物层位于控制极至少一侧的部分包括：调制部，调制部在第一方向上的尺寸小于P型Ⅲ族氮化物层被控制极覆盖的部分在第一方向上的尺寸；且调制部在第一方向上的尺寸存在变化，第一方向垂直衬底；上述半导体器件应用于功率器件中。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底和在所述衬底的一侧叠设的沟道层和势垒层；以及，P型Ⅲ族氮化物层，位于所述势垒层远离所述衬底的一侧；第一极、第二极和控制极，所述控制极位于所述P型Ⅲ族氮化物层远离所述衬底的一侧，所述第一极和所述第二极位于所述沟道层远离所述衬底的一侧，所述控制极位于所述第一极和所述第二极之间；在向所述衬底的正投影中，所述控制极位于所述P型Ⅲ族氮化物层以内；其中，所述P型Ⅲ族氮化物层位于所述控制极至少一侧的部分包括：调制部，所述调制部在第一方向上的尺寸小于所述P型Ⅲ族氮化物层被所述控制极覆盖的部分在所述第一方向上的尺寸；且所述调制部在第一方向上的尺寸存在变化，所述第一方向垂直所述衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平湖实验室 半导体器件、集成电路及电子设备
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