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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：接合结构体，是在半导体元件与基板之间存在的接合结构体，其中，所述接合结构体包含：Sn相、含有1质量％以上且不到7质量％的P的Cu合金粒子、和Ag粒子，所述Cu合金粒子用Cu6Sn5层被覆，所述Ag粒子用Ag3Sn层被覆，所述Cu合金粒子与所述Ag粒子经由Cu10Sn3相至少部分地结合，相对于所述接合结构体，所述Cu合金粒子和所述Ag粒子的添加量的合计为25质量％以上且不到65质量％，所述Ag粒子的添加量与所述Cu合金粒子的添加量的质量比为0.2以上且不到1.2。
主权项：1.一种接合结构体，是在半导体元件与基板之间存在的接合结构体，其中，所述接合结构体包含：Sn相、含有1质量％以上且不到7质量％的P的Cu合金粒子、和Ag粒子，所述Cu合金粒子用Cu6Sn5被覆层被覆，所述Ag粒子用Ag3Sn被覆层被覆，所述Cu合金粒子与所述Ag粒子经由Cu10Sn3相至少部分地结合，相对于所述接合结构体，所述Cu合金粒子和所述Ag粒子的添加量的合计为25质量％以上且不到65质量％，所述Ag粒子的添加量相对于所述Cu合金粒子的添加量的质量比为0.2以上且不到1.2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 接合结构体、半导体装置及其制造方法
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