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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明公开了一种背接触电池的制备方法、背接触电池以及光伏组件，涉及光伏技术领域。该背接触电池的制备方法通过先在硅片的正面和背面沉积形成隧穿多晶硅结构，后通过低压化学气相沉积同时在硅片的正面和背面形成氮化硅层，以一次性实现硅片两面氮化硅层的沉积，提高沉积效率，降低设备成本，缩短生产周期，并且低压化学气相沉积的沉积温度较高，一方面能够同时起到退火的作用，省去后续退火步骤，进一步地提高沉积效率，另一方面能够使得制备得到的氮化硅层具有较优的耐腐蚀能力和薄膜致密性，在后续湿法清洗的过程中对隧穿多晶硅结构进行更好的保护，保证其高钝化水平。
主权项：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供双面抛光的硅片；S2.对所述硅片的正面进行制绒漂洗，以在所述硅片的正面形成绒面；S3.在所述硅片的背面形成第一半导体层，其中，所述第一半导体层包括依次设置的第一隧穿氧化层和第一掺杂层；S4.在所述硅片的正面形成第二半导体层，其中，所述第二半导体层包括依次设置的第二隧穿氧化层和第二掺杂层，所述第二掺杂层的碳掺杂浓度为1e19cm-3-4e21cm-3，所述第二掺杂层的磷掺杂浓度为1e19cm-3-5e20cm-3；S5.通过低压化学气相沉积，在所述第一掺杂层上形成掩膜层，并在所述第二掺杂层上形成减反层，同时对所述第一半导体层和所述第二半导体层进行退火，其中，所述掩膜层和所述减反层的厚度均为100nm-120nm；S6.在所述第一隧穿氧化层、所述第一掺杂层和所述掩膜层上进行刻蚀开口，形成第一开口区；S7.清洗去除所述第一开口区内残留的所述第一隧穿氧化层、所述第一掺杂层和所述掩膜层，之后清洗去除所述第一开口区外的所述掩膜层；S8.在所述硅片的背面沉积第三半导体层，以使所述第三半导体层一部分覆盖于所述第一半导体层远离所述硅片的一侧，另一部分伸入所述第一开口区，且覆盖于所述硅片上，所述第三半导体层包括依次设置的本征非晶硅层和第三掺杂层。
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