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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种超级背封的加工工艺方法，所属硅片背封加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对完成双面抛光加工的硅晶片，进行第一次APCVD加工，使硅晶片背面镀上一层二氧化硅薄膜即LTO膜，薄膜厚为0.3～0.6μm。第二步：长第一层二氧化硅薄膜的硅晶片洗净后，对硅晶片正面进行化学机械抛光CMP。第三步：进行第二次LPCVD加工，使硅晶片镀上一层多晶硅膜即Poly膜，多晶硅膜厚约为0.3～0.8μm。第四步：对硅晶片正面进行第二次CMP加工，得到超级背封的抛光片成品。通过超级背封产品加工过程的两道CVD之间加入一次CMP，再在背封工艺完成后进行最终CMP，改善晶片正面印记、划伤、污迹等缺陷。使得加工的硅晶片正面缺陷更少，产品良率极大提升。
主权项：1.一种超级背封的加工工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：对完成双面抛光加工的硅晶片，进行第一次APCVD加工，使硅晶片背面镀上一层二氧化硅薄膜即LTO膜，薄膜厚为0.3～0.6μm；第二步：长第一层二氧化硅薄膜的硅晶片洗净后，对硅晶片正面进行化学机械抛光CMP；第三步：进行第二次LPCVD加工，使硅晶片镀上一层多晶硅膜即Poly膜，多晶硅膜厚约为0.3～0.8μm；第四步：对硅晶片正面进行第二次CMP加工，得到超级背封的抛光片成品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 超级背封的加工工艺方法
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