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多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法及背接触电池 

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申请/专利权人:金阳(泉州)新能源科技有限公司

摘要:本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法及背接触电池,包括在硅片正面依次沉积第一氧化层、第二氧化层和掺氧非晶硅层,形成钝化层,然后沉积减反层;第一氧化层在不抽真空条件下通过空气升温进行空气热氧化沉积而成,第二氧化层在真空状态且通入笑气条件下通过管式PECVD沉积形成,控制第一氧化层、第二氧化层的厚度比例为1:(0.6‑3.4),第一氧化层的厚度为0.6‑1.2nm,第一氧化层、第二氧化层的厚度之和与掺氧非晶硅层厚度的比例为1:(0.3‑10.8)。本发明能够大幅提高钝化效果,使得开路电压、短路电流及电池转换效率明显提升;且不占用工艺节拍,节省成本。

主权项:1.一种多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、提供硅片;S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和隔离层;S3、在S2所得背面的第一半导体层及其对应隔离层进行一次刻蚀开口,形成第二半导体开口区;S4、进行制绒清洗,并根据需要选择是否进行经过清洗去除硅片背面第二半导体开口区外的隔离层的步骤;S5、在S4所得背面沉积第二半导体层;S6、在硅片正面依次沉积第一氧化层、第二氧化层和掺氧非晶硅层,形成钝化层,然后在钝化层外表面沉积减反层;其中,第一氧化层在不抽真空条件下通过空气升温进行空气热氧化沉积而成,第二氧化层在真空状态且通入笑气条件下通过管式PECVD沉积形成,控制第一氧化层、第二氧化层的厚度比例为1:(0.6-3.4),第一氧化层的厚度为0.6-1.2nm,第一氧化层、第二氧化层的厚度之和与掺氧非晶硅层厚度的比例为1:(0.3-10.8)。

全文数据:

权利要求:

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