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申请/专利权人：安世有限公司
摘要：本公开涉及用于分立半导体器件的电接触件结构以及制造电接触件结构的对应方法。电接触件包括第一金属层，其被配置和布置为接触半导体裸片的应变有源区；第二金属层，其被配置和布置为接触第一金属层；以及第三金属层，其被配置和布置为接触第二金属层。
主权项：1.一种用于分立半导体器件的电接触件，所述电接触件包括：所述电接触件的第一金属层，其被配置和直接布置在半导体裸片的应变有源区上以形成肖特基势垒，所述应变有源区包括硅锗SiGe材料；所述电接触件的第二金属界面层，其由可塑性变形金属形成并布置在所述第一金属层上以接触所述第一金属层，其中所述第二界面金属层由Al或Ag形成；以及第三金属层，其被配置和布置为接触所述第二界面金属层以形成所述电接触件的外部电接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安世有限公司 半导体器件和电接触件
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