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用于去除硅片表面污迹的方法及系统 

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申请/专利权人:上海中欣晶圆半导体科技有限公司

摘要:本发明提供了一种用于去除硅片表面污迹的方法及系统,包括如下步骤:步骤S1、清洗:对硅片进行清洗;步骤S2、酸腐蚀:将硅片放入酸腐蚀液中;步骤S3、酸腐蚀后清洗:将硅片表面的酸腐蚀液清洗干净;步骤S4、外观筛选:将不良外观的硅片取出进入步骤S5;步骤S5、碱腐蚀:将不良外观的硅片放入碱腐蚀液中去除一定厚度;步骤S6、碱腐蚀后清洗:将硅片表面的碱腐蚀液清洗干净;步骤S7、外观检查:将外观合格的产品取出。通过TMAH溶液将硅片在碱腐蚀液中去除的一定厚度,把其表面外观上的不良去除干净,将其变成良品,有助于提高产品的良品率。

主权项:1.一种用于去除硅片表面污迹的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、清洗:对硅片进行清洗;步骤S2、酸腐蚀:将硅片放入酸腐蚀液中;步骤S3、酸腐蚀后清洗:将硅片表面的酸腐蚀液清洗干净;步骤S4、外观筛选:将不良外观的硅片取出进入步骤S5;步骤S5、碱腐蚀:将不良外观的硅片放入碱腐蚀液中去除一定厚度;步骤S6、碱腐蚀后清洗:将硅片表面的碱腐蚀液清洗干净;步骤S7、外观检查:将外观合格的产品取出。

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