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申请/专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供了一种用于去除硅片表面污迹的方法及系统，包括如下步骤：步骤S1、清洗：对硅片进行清洗；步骤S2、酸腐蚀：将硅片放入酸腐蚀液中；步骤S3、酸腐蚀后清洗：将硅片表面的酸腐蚀液清洗干净；步骤S4、外观筛选：将不良外观的硅片取出进入步骤S5；步骤S5、碱腐蚀：将不良外观的硅片放入碱腐蚀液中去除一定厚度；步骤S6、碱腐蚀后清洗：将硅片表面的碱腐蚀液清洗干净；步骤S7、外观检查：将外观合格的产品取出。通过TMAH溶液将硅片在碱腐蚀液中去除的一定厚度，把其表面外观上的不良去除干净，将其变成良品,有助于提高产品的良品率。
主权项：1.一种用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、清洗：对硅片进行清洗；步骤S2、酸腐蚀：将硅片放入酸腐蚀液中；步骤S3、酸腐蚀后清洗：将硅片表面的酸腐蚀液清洗干净；步骤S4、外观筛选：将不良外观的硅片取出进入步骤S5；步骤S5、碱腐蚀：将不良外观的硅片放入碱腐蚀液中去除一定厚度；步骤S6、碱腐蚀后清洗：将硅片表面的碱腐蚀液清洗干净；步骤S7、外观检查：将外观合格的产品取出。
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