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申请/专利权人：锦州神工半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种硅片碱腐蚀后背表面的处理方法，包括：S1、将碱腐蚀后的硅片正面朝下且背表面朝上的方式固定于旋转载台上，旋转载台转动下向硅片的背表面喷洒混酸溶液进行酸蚀处理；混酸溶液由氢氟酸、硝酸、乙酸按体积比1：10：10所组成；S2、超纯水溢流冲洗甩干；S3、将硅片放入抛光机中抛光，抛光垫温度在16℃±3，抛光液温度在15℃±1，转速≤20rpm；抛光过程中对硅片的正面进行常规抛光，对硅片的背表面轻微抛光；S4、RCA法清洗；S5、使用慢提拉法对硅片脱水，烘干。本发明可单独对碱腐蚀后的硅片背表面平坦度进行提升，满足特定客户对硅片正面和背表面的腐蚀类型、表面织构和平坦度的要求。
主权项：1.一种硅片碱腐蚀后背表面的处理方法，其特征在于，包括：S1、将碱腐蚀后的硅片放置在旋转载台上，使硅片的正面朝下且背表面朝上的方式固定于旋转载台上，旋转载台转动以带动硅片同步转动，所述旋转载台的上方设有混酸喷淋装置，通过混酸喷淋装置将混酸溶液喷淋在硅片的背表面；在离心力作用下，喷淋在硅片背表面的混酸溶液被甩出，采用收集装置收集混酸溶液，将收集的混酸溶液经带有滤芯的管泵组件循环输送至混酸喷淋装置，以将混酸溶液喷淋至硅片背表面；所述混酸溶液由氢氟酸、硝酸、乙酸按体积比1：10：10所组成；硅片的正面为硅片的芯片加工面，背表面是与正面相反的一面；S2、将经S1处理的硅片，使用超纯水溢流冲洗甩干；S3、将硅片放入抛光机中抛光，抛光垫温度在16℃±3，抛光液温度在15℃±1，转速≤20rpm；抛光过程中对硅片的正面进行常规抛光，对硅片的背表面轻微抛光；S4、使用RCA法对硅片进行清洗；S5、使用慢提拉法对硅片脱水，烘干。
全文数据：
权利要求：
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