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将功率终端连接到半导体封装内的衬底的方法 

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申请/专利权人:力特保险丝公司

摘要:本发明公开了将功率终端连接到半导体封装内的衬底的方法。根据本公开的实施例的制造功率半导体器件的方法可以包括提供设置在热沉的顶部上的衬底,将半导体管芯电连接到衬底的顶表面,在衬底的顶部上设置薄金属层,在薄金属层的顶部上设置终端,以及执行焊接操作,其中激光束被引导到终端的顶表面,以产生将终端连接到衬底的多个焊接连接,其中焊接连接被间隙分隔开,并且其中在焊接操作期间生成的热量熔化薄金属层并且该薄金属层的熔化材料流入间隙中。

主权项:1.一种功率半导体器件,包括:热沉;衬底,所述衬底被设置在所述热沉的顶部上;半导体管芯,所述半导体管芯被设置在所述衬底的顶部上并电连接到所述衬底;以及终端,所述终端被设置在所述衬底的顶部上并通过由间隙分隔开的焊接连接而电连接到所述衬底,其中,所述间隙由薄金属层填充。

全文数据:

权利要求:

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