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申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种红光MicroLED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备技术领域。芯片包括由上到下依次设置的n‑AlGaInP扩展层、n‑AlGaInP欧姆接触层、n‑AlInP限制层、MQW多量子阱层、p‑AlInP限制层、p‑AlGaInP扩展层、p‑GaP电流扩展层和p‑GaP欧姆接触层，所述n‑AlGaInP扩展层外侧设置有SiO2薄膜，所述p‑GaP欧姆接触层上设有ITO层，所述ITO层上设有P电极，所述n‑AlGaInP欧姆接触层上设有N电极，所述N电极上设有垫高金属层，红光MicroLED芯片通过P电极和N电极与驱动电路基板的铟焊点相连接。本发明采用二氧化硅SiO2+紫外固化胶BCB作为键合结构，借助UV固化以及衬底去除工艺，完成两次衬底转移的过程，将红光MicroLED外延转移到与蓝宝石衬底上，实现与GaN蓝绿光外延相同的衬底结构，大大提高了红光MicroLED的衬底转移良率和可靠性。
主权项：1.一种红光MicroLED芯片，其特征在于，包括由上到下依次设置的n-AlGaInP扩展层、n-AlGaInP欧姆接触层、n-AlInP限制层、MQW多量子阱层、p-AlInP限制层、p-AlGaInP扩展层、p-GaP电流扩展层、p-GaP欧姆接触层，所述p-GaP欧姆接触层上设有ITO层，所述ITO层上设有P电极，所述n-AlGaInP欧姆接触层上设有N电极，所述n-AlGaInP扩展层外侧设置有SiO2薄膜，所述N电极上设有垫高金属层，红光MicroLED芯片通过P电极和N电极与驱动电路基板的铟焊点相连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种红光Micro LED芯片及其制备方法
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