龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州微纳核芯电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种DRAM近存封装结构及其封装方法，包括：基板；晶圆，设置在基板上；引线，分别连接基板和晶圆；其中，晶圆上形成刻蚀；引线一端连接晶圆上刻蚀位置，引线另一端连接基板。晶圆包括第一芯片和混合键合在第一芯片上的第二芯片；其中，第一芯片为逻辑芯片或内存芯片；第二芯片不同于第一芯片，混合键合在第一芯片上；其中，当第一芯片为逻辑芯片时，第二芯片为内存芯片；当第一芯片为内存芯片时，第二芯片为逻辑芯片。解决了现有方案中封装方法成本较高，制备的封装结构中硅通孔对封装结构的设计和应力都会产生影响，也会限制片间传输宽带的问题。
主权项：1.一种DRAM近存封装结构，其特征在于，包括：基板1；晶圆2，设置在所述基板1上；引线3，分别连接所述基板1和所述晶圆2；其中，所述晶圆2上形成刻蚀；所述引线3一端连接所述晶圆2上刻蚀位置，所述引线3另一端连接所述基板1；所述晶圆2包括第一芯片21和混合键合在所述第一芯片21上的第二芯片22；其中，所述第一芯片21为逻辑芯片或内存芯片；所述第二芯片22不同于所述第一芯片21，混合键合在所述第一芯片21上；其中，当所述第一芯片21为逻辑芯片时，所述第二芯片22为内存芯片；当所述第一芯片21为内存芯片时，所述第二芯片22为逻辑芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州微纳核芯电子科技有限公司 一种DRAM近存封装结构及其封装方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号