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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一目标结构及第二目标结构，第一目标结构的顶面高于第二目标结构的顶面；形成刻蚀停止层，刻蚀停止层至少覆盖第一目标结构的外表面以及第二目标结构的顶面；于刻蚀停止层远离第一目标结构的侧表面形成第一氧化层，第一氧化层的顶面与刻蚀停止层的顶面齐平；于第一氧化层的顶面形成第二氧化层；去除部分第一氧化层以及第二氧化层以形成第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔位于第一目标结构的正上方，第二接触孔位于第二目标结构的正上方，第一接触孔及第二接触孔均延伸至刻蚀停止层的顶面。上述方法能够有效避免对第一接触孔底部的刻蚀停止层的过刻蚀。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一目标结构及第二目标结构，所述第一目标结构的顶面高于所述第二目标结构的顶面；形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层至少覆盖所述第一目标结构的外表面以及所述第二目标结构的顶面；于所述刻蚀停止层远离所述第一目标结构的侧表面形成第一氧化层，所述第一氧化层的顶面与所述刻蚀停止层的顶面齐平；于所述第一氧化层的顶面形成第二氧化层；去除部分所述第一氧化层以及所述第二氧化层以形成第一接触孔及第二接触孔，所述第一接触孔位于所述第一目标结构的正上方，所述第二接触孔位于所述第二目标结构的正上方，所述第一接触孔及所述第二接触孔均延伸至所述刻蚀停止层的顶面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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