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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，衬底内具有沿第一方向相对的第一有源区及第二有源区，第一有源区及第二有源区均沿第二方向延伸，第一方向与第二方向垂直；根据预设规则，获得第一掩膜图形及第二掩膜图形，第一掩膜图形及第二掩膜图形沿第一方向相对的端部之间具有目标间距；基于第一掩膜图形于第一有源区上形成第一半导体层，并基于第二掩膜图形于第二有源区上形成第二半导体层。上述半导体结构的制备方法能够避免第一半导体层及第二半导体层之间的桥接现象，保证二者端部之间的间距达到设计要求，并且平衡二者端部的延伸距离，同时提高整体工艺的冗余量。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有沿第一方向相对的第一有源区及第二有源区，所述第一有源区及所述第二有源区均沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直；根据预设规则，获得第一掩膜图形及第二掩膜图形，所述第一掩膜图形及所述第二掩膜图形沿所述第一方向相对的端部之间具有目标间距；基于所述第一掩膜图形于所述第一有源区上形成第一半导体层，并基于所述第二掩膜图形于所述第二有源区上形成第二半导体层。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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