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申请/专利权人：珠海镓未来科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种半导体功率器件，包括层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及介质叠层，在介质叠层两侧设有源极和漏极，源极和漏极分别穿过介质叠层且与势垒层欧姆接触，在源极和漏极之间的介质叠层内设有栅极和与栅极连接的栅极场板，栅极的下表面与钝化层接触，栅极场板与所述介质叠层之间设有界面阻隔层。本实用新型通过将界面阻隔层提前覆盖到栅场板与功能绝缘层介质叠层接触的位置，这样，与场板底部接触的绝缘区域，由原来包含多层受到工艺损伤的低质量材料边界面，改进为单一高质量介质材料。
主权项：1.一种半导体功率器件，其特征在于，该器件包括层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及介质叠层，在所述介质叠层两侧设有源极和漏极，所述源极和漏极分别穿过所述介质叠层且与所述势垒层欧姆接触，在所述源极和漏极之间的介质叠层内设有栅极和与栅极连接的栅极场板，所述栅极的下表面与钝化层接触，所述栅极场板与所述介质叠层之间设有界面阻隔层。
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百度查询： 珠海镓未来科技有限公司 半导体功率器件
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