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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有：第一电极；第二电极；碳化硅层，包含第一导电型的第一碳化硅区域、第二导电型的第二碳化硅区域、第一导电型的第三碳化硅区域和第一区域与第二区域之间的第二导电型的第四碳化硅区域，该第一导电型的第一碳化硅区域包含第一区域、第一导电型杂质浓度比第一区域高的第二区域和设置于第二区域与第一电极之间的第三区域；栅极电极，设置于碳化硅层之中；以及栅极绝缘层，第二区域具有第一部分和第二部分，第二部分设置于第一部分与栅极绝缘层之间，第二部分的第一导电型杂质浓度低于第一部分的第一导电型杂质浓度。
主权项：1.一种半导体装置，其中，具有：第一电极；第二电极；碳化硅层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含：第一导电型的第一碳化硅区域，所述第一碳化硅区域包含第一区域、设置于所述第一区域与所述第一电极之间且第一导电型杂质浓度比所述第一区域的第一导电型杂质浓度高的第二区域、以及设置于所述第二区域与所述第一电极之间的第三区域；第二导电型的第二碳化硅区域，设置于所述第一碳化硅区域与所述第一电极之间；第一导电型的第三碳化硅区域，设置于所述第二碳化硅区域与所述第一电极之间；和第二导电型的第四碳化硅区域，设置于所述第一区域与所述第二区域之间；栅极电极，设置于所述碳化硅层之中，与所述第一碳化硅区域、所述第二碳化硅区域、所述第三碳化硅区域及所述第四碳化硅区域对置；以及栅极绝缘层，设置于所述第一碳化硅区域与所述栅极电极之间、所述第二碳化硅区域与所述栅极电极之间、所述第三碳化硅区域与所述栅极电极之间、所述第四碳化硅区域与所述栅极电极之间，所述第二区域具有第一部分和第二部分，所述第二部分设置于所述第一部分与所述栅极绝缘层之间且所述第四碳化硅区域与所述第三区域之间，所述第二部分的第一导电型杂质浓度低于所述第一部分的第一导电型杂质浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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