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半导体元件及半导体元件的制造方法 

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申请/专利权人:三菱电机株式会社

摘要:本公开的半导体元件100具备:半导体基板115;第一半导体层114,形成在半导体基板115上;绝缘膜113,形成在第一半导体层114上;以及连接电极104,由表面电极112b和镀膜111b构成,表面电极112b形成为与绝缘膜113接触且在底部侧具有供绝缘膜113露出的多个开口部131,镀膜111b形成为与表面电极112b接触且覆盖开口部131。

主权项:1.一种半导体元件,其中,具备:半导体基板;第一半导体层,形成在所述半导体基板上;绝缘膜,形成在所述第一半导体层上;以及连接电极,由表面电极和镀膜构成,所述表面电极形成为与所述绝缘膜接触且在底部侧具有供所述绝缘膜露出的多个开口部,所述镀膜形成为与所述表面电极接触且覆盖所述开口部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三菱电机株式会社 半导体元件及半导体元件的制造方法

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