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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体结构及制造半导体结构的方法。制造半导体结构的方法包括放置金属催化剂在半导体的表面上。接着，执行金属辅助化学蚀刻，包括使半导体浸泡于蚀刻剂溶液中，并使用金属催化剂催化蚀刻剂溶液与半导体之间的蚀刻化学反应，以在半导体中形成通道。在至少一部分的金属辅助化学蚀刻期间，半导体被以半导体的表面的表面法线与重力呈一非零角度的方式浸泡于蚀刻剂溶液中。在一些实施例中，半导体的位向在金属辅助化学蚀刻期间改变，以在半导体中形成具有至少一转折或曲线部分的通道。
主权项：1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：设置一金属催化剂在一半导体的一表面上；以及在设置该金属催化剂之后，执行一金属辅助化学蚀刻，该金属辅助化学蚀刻包括使该半导体浸泡于一蚀刻剂溶液中及使用该金属催化剂催化该蚀刻剂溶液与该半导体之间的一蚀刻化学反应，以蚀刻该半导体并在该半导体中形成一通道；其中在至少一部分的该金属辅助化学蚀刻期间，该半导体被以该半导体的该表面的一表面法线与重力呈一非零角度的方式浸泡于该蚀刻剂溶液中。
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