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申请/专利权人:中芯热成科技(北京)有限责任公司
摘要:本公开涉及一种红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件,该制备方法包括:提供基底;基底的一侧形成有第一电极;在第一电极背离基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构;第一量子点探测结构为物理成型;在第一量子点探测结构背离第一电极的一侧沉积形成光栅阵列结构;其中,光栅阵列结构复用为第二电极。如此,通过在具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构上沉积形成光栅阵列结构,不会对第一量子点探测结构的化学性质造成损害,利于提升红外偏振器件的偏振探测性能。
主权项:1.一种红外偏振器件的制备方法,其特征在于,包括:提供基底;所述基底的一侧形成有第一电极;在所述第一电极背离所述基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构;所述第一量子点探测结构为物理成型;在所述第一量子点探测结构背离所述第一电极的一侧沉积形成光栅阵列结构;其中,所述光栅阵列结构复用为第二电极。
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