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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：公开了一种电子器件，该电子器件具有用于供应栅极电压的栅电极、源极、漏极和沟道，该沟道被掺杂为在电压被施加至栅电极时使得电流能够从漏极流向源极。该电子器件还可以包括处于沟道和栅电极之间的栅极绝缘体。该栅极绝缘体可以包括具有第一厚度的第一栅极绝缘体区段和具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极绝缘体区段。栅极绝缘体区段由此通过使电流能够在比第一栅极绝缘体区段低的电压上流过第二栅极绝缘体区段而改善了安全操作区域。
主权项：1.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括：第一栅电极，所述第一栅电极被配置成供应栅极电压；源极；漏极；沟道，所述沟道被掺杂为在向所述第一栅电极施加电压时，使得电流能够从所述漏极流向所述源极；和第一栅极绝缘体，所述第一栅极绝缘体处于所述沟道和所述第一栅电极之间，所述第一栅极绝缘体包括：沿所述第一栅极绝缘体的第一长度的第一栅极绝缘体区段，其中，处于所述第一栅电极和所述沟道之间的所述第一栅极绝缘体的整个宽度具有第一厚度；和沿所述第一栅极绝缘体的第二长度的第二栅极绝缘体区段，所述第二栅极绝缘体区段具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
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权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 电子器件
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