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申请/专利权人：株式会社日本显示器
摘要：能够实现高迁移率且可靠性高的半导体装置的半导体装置，其具备：设置在基板之上的以铝为主成分的氧化金属层；设置在前述氧化金属层之上的氧化物半导体层；与前述氧化物半导体层对置的栅电极；和前述氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层。前述氧化物半导体层含有包括铟在内的2种以上的金属，前述2种以上的金属中的铟的比率为50％以上。
主权项：1.半导体装置，其具备：设置在基板之上的以铝为主成分的氧化金属层；设置在所述氧化金属层之上的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层对置的栅电极；和所述氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述氧化物半导体层含有包括铟在内的2种以上的金属，所述2种以上的金属中的铟的比率为50％以上。
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