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申请/专利权人：瑞萨电子株式会社
摘要：本公开可以提供能够抑制布局面积增加的半导体器件。根据一个实施例，该半导体器件包括：晶体管，包括形成在半导体衬底的主表面部分中的漏极、形成在主表面部分中的源极以及用于控制漏极和源极之间的电流的栅极，漏极布线通过接触件连接至漏极；以及传输导线，设置在通过接触件连接至源极的源极布线之间，并与漏极、源极和栅极绝缘。
主权项：1.一种半导体器件，包括：晶体管，包括：第一扩散层，形成在半导体衬底的主表面侧部分上；第二扩散层，形成在所述半导体衬底的所述主表面侧部分上；和栅极，用于控制所述第一扩散层和所述第二扩散层之间的电流；以及传输导线，设置在经由第一接触件连接至所述第一扩散层的第一布线和经由第二接触件连接至所述第二扩散层的第二布线之间，与所述第一扩散层、所述第二扩散层和所述栅极绝缘，其中所述第一扩散层、所述第二扩散层和所述栅极在平行于主表面的平面中的一个方向上延伸，并且其中所述第一布线、所述第二布线和所述传输导线在所述平面中与所述一个方向相交叉的另一方向上延伸。
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