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申请/专利权人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学

摘要：本发明公开了一种具有NiOX保护层的MIS‑HEMT器件及其制备方法，所述器件包括AlGaNGaN外延，AlGaNGaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极的上表面和AlGaNGaN外延上表面连接源漏电极以外的区域从下到上依次沉积第一介质层和第二介质层，第二介质层的上表面连接栅电极，栅电极位于源漏电极之间，第一介质层为NiOX，第一介质层和第二介质层共同作为钝化层和栅介质层。采用NiOXSiNX叠层结构同时作为器件的栅介质层与钝化层，利用电子束蒸发设备生长薄膜较PECVD设备减小了沉积损伤问题，改善了器件的表面态，器件的漏电、电流崩塌以及击穿电压性能都得到了优化。

主权项：1.具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件，其特征在于，所述器件包括AlGaNGaN外延，AlGaNGaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极上和AlGaNGaN外延上表面连接源漏电极以外的区域从下到上依次沉积第一介质层和第二介质层，第二介质层的上表面连接栅电极，栅电极位于源漏电极之间，第一介质层为NiOX，第一介质层和第二介质层共同作为MIS-HEMT器件的钝化层和栅介质层；第二介质层为SiNX、SiO2或者SiON；所述具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件的制备包括以下步骤：1进行台面隔离以及欧姆接触在AlGaNGaN外延的上表面制备源漏电极，在源漏电极上和AlGaNGaN外延上表面连接源漏电极以外的区域沉积一层Ni金属，高温氧化处理，形成第一介质层NiOX；第一介质层由电子束蒸发Ni金属，然后在快速退火炉中高温氧化处理形成；Ni金属的沉积速率为0.02-0.05nms，沉积的厚度为3-10nm；高温氧化处理时快速退火炉或炉管的腔体温度为300-400℃，氧气流量为50-100sccm，高温氧化处理的时间为10-30min，退火的升温速率为7-15℃s；2在第一介质层NiOX上沉积第二介质层，最后进行栅电极的沉积。

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