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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，提供一种渐变组分极化HEMT结构的电子分布计算方法，用以解决现有PolFET缺乏定量理论的问题。本发明填补了PolFET器件结构相关电学特性理论的空白，首次定量解决了PolFET结构中的电子三维电子气分布问题，适用于任意AlGaN层厚度和Al最大组分权重应用条件的该类PolFET结构，通过三组约束方程获得PolFET结构AlGaN层的耗尽区宽度，进而得到电子分布，进而计算和优化比导通电阻。三组约束方程中，第一组与第三组可通过设置第一组方程的误差获得不同误差精度的数值计算结果，第二组可直接获得高精度的解析结果，三组组合约束方程均能够高精度、有效地计算PolFET结构中的电子分布。
主权项：1.一种渐变组分极化HEMT结构的电子分布计算方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、计算渐变组分AlGaN层的体极化电荷分布QPy；步骤2、根据渐变组分AlGaN层的体极化电荷分布，构建渐变组分AlGaN层电子浓度的表达式；具体为： 其中，n表示电子浓度，d表示AlGaN层厚度，xd表示渐变组分极化HEMT的耗尽区宽度；步骤3、构建关于渐变组分极化HEMT的耗尽区宽度xd的组合约束方程；步骤4、根据步骤3的组合约束方程求解得到中性区与耗尽区的分界点位置xd，再代入步骤2的电子浓度表达式中，计算得到渐变组分极化HEMT结构的电子分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种渐变组分极化HEMT结构的电子分布计算方法
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