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申请/专利权人：株式会社村田制作所
摘要：提出了在硅衬底中同时生成掩埋氧化物BOX层和富陷阱层的方法。根据一个方面，将氧注入硅衬底中例如以根据在BOX层的目标深度处具有峰的浓度轮廓形成氧浓度区域。根据另一方面，浓度轮廓包括比后缘轮廓短的前缘轮廓。根据另一方面，退火衬底以形成BOX层和紧接在BOX层之下的受损层，该受损层具有富陷阱层的功能。
主权项：1.一种在硅衬底中同时生成掩埋氧化物BOX层和富陷阱TR层的方法，所述方法包括：提供硅衬底；将氧注入所述硅衬底中；基于所述注入，产生注入浓度轮廓，所述注入浓度轮廓包括：峰，所述峰在所述硅衬底的与所述BOX层的区域对应的目标深度处；前缘，所述前缘从所述硅衬底的靠近所述衬底的表面的区域延伸至所述峰；以及后缘，所述后缘从所述峰延伸至所述硅衬底的远离所述硅衬底的表面的区域；以及退火所述硅衬底，从而同时生成：在所述峰附近的区域中的所述BOX层，以及第一受损层，所述第一受损层在所述BOX层之下的沿所述后缘延伸的区域中，所述第一受损层提供所述TR层的功能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社村田制作所 同时生成富陷阱层和BOX层的方法
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