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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及具有改进的栅极结构的HEMT器件及其制造过程。HEMT器件具有本体，该本体包括被配置为生成二维电荷载流子气的异质结构；以及栅极结构，该栅极结构在本体的顶表面上延伸并且能够偏置以电控制二维电荷载流子气。该栅极结构具有半导体材料的沟道调制区；半导体材料的功能区；以及导电材料的栅极接触区。功能区和栅极接触区在沟道调制区的顶表面上延伸，并且栅极接触区相对于功能区侧向布置。沟道调制区相对于功能区具有不同的导电类型。
主权项：1.一种HEMT器件，包括：本体，所述本体具有顶表面并且包括被配置为生成二维电荷载流子气的异质结构；以及栅极结构，在所述本体的所述顶表面上延伸并且能够偏置以电控制所述二维电荷载流子气，所述栅极结构包括：半导体材料的沟道调制区，所述沟道调制区具有顶表面；半导体材料的功能区；导电材料的第一栅极接触区；导电材料的第二栅极接触区，所述第二栅极接触区至少部分地在所述功能区上延伸并且与所述第一栅极接触区接触，其中所述功能区和所述第一栅极接触区在所述沟道调制区的所述顶表面上延伸，并且其中所述第一栅极接触区相对于所述功能区侧向布置，所述沟道调制区相对于所述功能区具有不同的导电类型；以及非导电材料的绝缘区，所述绝缘区在所述第一栅极接触区和所述第二栅极接触区之间。
全文数据：
权利要求：
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