龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种氮化物半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体，量子阱和p型半导体，所述量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，所述p型半导体上方设置有p型接触层，所述p型接触层具有饱和电子漂移速率分布特性、轻空穴有效质量分布特性、形变势分布特性和极化光学声子能量分布特性。本发明能够增强p型接触层的空穴输运通车，提升p型接触层的空穴的横向扩展和纵向扩展能力，改善发光二极管的浪涌能力和抗击人体模式静电击穿能力，抗击人体模式静电击穿能力从100～200V通过率90％以上提升至200～500V通过率90％以上。
主权项：1.一种氮化物半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体，量子阱和p型半导体，所述量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，其特征在于，所述p型半导体上方设置有p型接触层，所述p型接触层具有饱和电子漂移速率分布特性、轻空穴有效质量分布特性、形变势分布特性和极化光学声子能量分布特性；所述p型接触层的饱和电子漂移速率呈倒N型分布；所述p型接触层的轻空穴有效质量呈N型分布；所述p型接触层的形变势呈N型分布；所述p型接触层的极化光学声子能量呈N型分布；所述p型接触层的饱和电子漂移速率的谷值位置往量子阱方向的上升角度为所述p型接触层的轻空穴有效质量的峰值位置往量子阱方向的下降角度为β，所述p型接触层的形变势的峰值位置往量子阱方向的下降角度为γ，所述p型接触层的极化光学声子能量的峰值位置往量子阱方向的下降角度为θ，其中：
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种氮化物半导体发光二极管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号