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申请/专利权人：京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要：本公开提供了一种发光二极管制备方法及发光二极管。所述方法包括：在衬底上制作外延结构；在所述外延结构上制作一层图形化的电流阻挡薄膜；在所述电流阻挡薄膜遮挡下，对所述外延结构进行图形化处理，形成台阶结构，所述台阶结构的侧壁斜坡在所述衬底上的投影的宽度为0.8～1.3μm；对所述电流阻挡薄膜进行图形化处理，得到电流阻挡层；制作电流扩展层，所述电流扩展层位于所述电流阻挡层上，且与所述外延结构连接；制作第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述台阶结构的台阶面上，所述第二电极位于所述电流扩展层上。
主权项：1.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底100上制作外延结构1000；在所述外延结构1000上制作一层图形化的电流阻挡薄膜；在所述电流阻挡薄膜遮挡下，对所述外延结构1000进行图形化处理，形成台阶结构，所述台阶结构的侧壁斜坡在所述衬底100上的投影的宽度为0.8～1.3μm；对所述电流阻挡薄膜进行图形化处理，得到电流阻挡层104；制作电流扩展层105，所述电流扩展层105位于所述电流阻挡层104上，且与所述外延结构1000连接；制作第一电极106和第二电极107，所述第一电极106位于所述台阶结构的台阶面上，所述第二电极107位于所述电流扩展层105上。
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百度查询： 京东方华灿光电(浙江)有限公司 发光二极管制备方法及发光二极管
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