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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、不掺杂的U‑GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层；其中，所述欧姆接触层包括依次层叠于所述P型GaN层上的Si3N4层、三维InN层、金属反射层、P型掺杂AlxInyGa1‑x‑yN层和P型掺杂AlaInbGa1‑a‑bN层。实施本发明的外延片，可以改善晶体质量，增加欧姆接触，降低工作电压，并破坏光线在LED内部的全反射，增加了空穴浓度，有效地提升了发光效率和抗静电能力。
主权项：1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、不掺杂的U-GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层；其中，所述欧姆接触层包括依次层叠于所述P型GaN层上的Si3N4层、三维InN层、金属反射层、P型掺杂AlxInyGa1-x-yN层和P型掺杂AlaInbGa1-a-bN层；所述P型掺杂AlxInyGa1-x-yN层中的掺杂浓度小于所述P型掺杂AlaInbGa1-a-bN层的掺杂浓度；x＞a，y＜b。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管的外延片及其制备方法
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