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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法，包括提供衬底，衬底表面形成有外延层，在外延层上形成图案化的硬质掩膜层；以硬质掩膜层为掩膜，对外延层进行初步刻蚀，在外延层中形成浅沟槽；对浅沟槽的侧壁进行阱注入；以硬质掩膜层为掩膜，对外延层进行再次刻蚀，在外延层中形成目标沟槽；在目标沟槽中形成栅介质层和多晶硅，并进行阱推进，在目标沟槽的侧壁形成阱区；对阱区进行离子注入形成源区；淀积层间介质层并刻蚀形成接触孔；对接触孔底部进行肖特基注入形成肖特基接触。本发明采用沟槽分布刻蚀，两步刻蚀之间增加侧壁阱注入，使阱区仅存在沟槽侧壁，而不在接触孔下方，从而在接触孔下方能进一步形成肖特基接触，达到提升恢复速度的效果。
主权项：1.一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，所述衬底表面形成有外延层，在所述外延层上形成图案化的硬质掩膜层；步骤二、以所述硬质掩膜层为掩膜，对所述外延层进行初步刻蚀，在所述外延层中形成浅沟槽；步骤三、对所述浅沟槽的侧壁进行阱注入；步骤四、以所述硬质掩膜层为掩膜，对所述外延层进行再次刻蚀，在所述外延层中形成目标沟槽；步骤五、在所述目标沟槽中形成栅介质层和多晶硅，并进行阱推进，在所述目标沟槽的侧壁形成阱区；步骤六、对所述阱区进行离子注入形成源区；步骤七、淀积层间介质层并刻蚀形成接触孔；步骤八、对所述接触孔底部进行肖特基注入形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法
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