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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法。高击穿电压碳化硅肖特基二极管包括由下至上依次设置的第一金属Ni电极、SiC衬底、n+‑SiC缓冲层、n‑SiC层和p‑GaN帽层，所述p‑GaN帽层贯穿设有凹槽，所述凹槽的下部位于所述n‑SiC层，所述凹槽内设置与所述n‑SiC层顶部和所述p‑GaN帽层顶部相接的金属Ti电极，所述金属Ti电极上设置第二金属Ni电极，所述n‑SiC层、p‑GaN帽层、金属Ti电极和第二金属Ni电极的顶部设置具有开孔的SiO2钝化层。本发明使用p型掺杂GaN与n‑SiC形成异质结，无需增厚n‑SiC即可提高碳化硅肖特基二极管的击穿电压，并具有高可靠性和低成本的优势。
主权项：1.一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括由下至上依次设置的第一金属Ni电极、SiC衬底、n+-SiC缓冲层、n-SiC层和p-GaN帽层，所述p-GaN帽层贯穿设有凹槽，所述凹槽的下部位于所述n-SiC层，所述凹槽内设置与所述n-SiC层顶部和所述p-GaN帽层顶部相接的金属Ti电极，所述金属Ti电极上设置第二金属Ni电极，所述n-SiC层、p-GaN帽层、金属Ti电极和第二金属Ni电极的顶部设置具有开孔的SiO2钝化层；所述高击穿电压碳化硅肖特基二极管的制备方法包括如下步骤：S1、在SiC衬底上依次外延生长n+-SiC缓冲层和n-SiC层；S2、在n-SiC层顶部生长p-GaN帽层；S3、干法刻蚀n-SiC层和p-GaN帽层形成凹槽；S4、在SiC衬底的下方蒸镀第一金属Ni电极，退火形成欧姆接触；S5、在凹槽中暴露的n-SiC层顶部和p-GaN帽层顶部依次蒸镀金属Ti电极和第二金属Ni电极，形成肖特基接触；S6、在n-SiC层、p-GaN帽层、金属Ti电极和第二金属Ni电极的顶部生长SiO2钝化层；S7、刻蚀SiO2钝化层形成开孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法
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