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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域。通过改变无机钝化层的组成结构，设计成了SiO2、SiN、SiO2三明治的结构，其中每层SiO2的厚度不小于200nm，SiN的厚度不小于600nm，上层为有机钝化层。类似三明治的三层结构使得器件在高压的H3TRB可靠性项目中能够更好得到保护，在高压的H3TRB项目中，随着项目的进行，三层结构的无机钝化层可以保证器件在实验过程中更好的隔绝水汽，保护碳化硅外延层，从而提高器件的高压H3TRB的可靠性。
主权项：1.一种提高可靠性能力的碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，在碳化硅衬底（1）上生长一层碳化硅外延（2）；S200，在碳化硅外延（2）的顶部形成若干P型掺杂区一（3a）、P型掺杂区二（3b）和若干P型掺杂区三（3c）；S300，在终端处的P型掺杂区二（3b）和P型掺杂区三（3c）方上通过化学气相沉积法形成场氧（4）；S400，在P型掺杂区一（3a）、P型掺杂区二（3b）和场氧（4）上溅射金属，退火后形成肖特基接触电极（5）；S500，在肖特基接触电极（5）上沉积正面加厚金属（6）作为阳极引出；S600，在器件终端位置依次制作无机钝化层（7）和有机钝化层（8），无机钝化层（7）和有机钝化层（8）分别从正面加厚金属（6）顶部开始至芯片划片道结束；S700，在碳化硅衬底（1）的背面制作背面欧姆接触电极（9）；S800，在欧姆接触电极（9）上沉积加厚金属（10）形成阴极，完成器件制作。
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