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申请/专利权人：江苏金脉电控科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种多芯片并联碳化硅模块，涉及电力电子技术领域，包括基板以及由数个电子元件所组成的功率模块，其中所述功率模块设置在基板上，所述功率模块为半桥结构，包括居于基板两侧的上半桥以及居于基板中间的下半桥，所述功率模块上设置有若干芯片，所述芯片源极采用铜键合线以及金属连接片钎焊连接。本实用新型布局结构适用多个碳化硅芯片并联的功率模块，并且能有效降低模块内部的寄生电感并得到较好的芯片均流结果。
主权项：1.一种多芯片并联碳化硅模块，其特征在于：包括：基板（1）以及由数个电子元件所组成的功率模块，其中所述功率模块设置在基板（1）上，所述功率模块为半桥结构，包括居于基板（1）两侧的上半桥（2）以及居于基板（1）中间的下半桥（3），所述功率模块上设置有若干芯片（18），所述芯片（18）源极采用铜键合线（4）或者金属连接片（5）钎焊连接，位于上半桥（2）以及下半桥（3）的芯片（18）在各自左右半区形成上下穿插的微布局，以形成局部磁场，叠加相消降低电感。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏金脉电控科技有限公司 一种多芯片并联碳化硅模块
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