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申请/专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：利用装配有切割线的切割设备对碳化硅晶体进行砂浆切割处理，得到碳化硅晶片；所述切割线为表面电镀有金刚石磨粒的金属线；所述切割线的线径为20~70μm；所述砂浆切割处理采用的砂浆包括金刚石微粉与切削油；所述砂浆的粘度为5~50mPa•s。与现有技术相比，本发明通过电镀有金刚石磨粒的切割线和含有金刚石微粉的砂浆液共同作用，再结合切割工艺参数的设置，确保切割后碳化硅晶片的总厚度变化和翘曲度变化，从而实现采用更细的切割线、更小粒度的磨粒达到降低切割损耗的目的，使将碳化硅晶体切割的单片损耗降低至100μm以内。
主权项：1.一种碳化硅晶体的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：利用装配有切割线的切割设备对碳化硅晶体进行砂浆切割处理，得到碳化硅晶片；所述切割线为表面电镀有金刚石磨粒的金属线；所述切割线的线径为20~70μm；所述砂浆切割处理采用的砂浆包括金刚石微粉与切削油；所述砂浆的粘度为5~50mPa•s。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京天科合达半导体股份有限公司 一种碳化硅晶体的切割方法
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