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申请/专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

摘要：本发明涉及一种用于分离在半导体晶片上外延生长的III‑V族半导体层的方法，半导体晶片构造为衬底并且具有上侧，在上侧上构造有缓冲层和半导体层，并且在半导体层上方构造有载体层，并且与半导体层相比，牺牲层的湿化学蚀刻率更高，在一个工艺步骤中，将半导体晶片引入到容纳装置中，在一个工艺步骤中，从存储器装置中读取布置在上侧上的点的位置数据，在一个工艺步骤中，激光器向所述位置数据预给定的点运动，并且借助激光器穿过载体层和构造在载体层下方的层产生具有底部的孔，相应的孔的底部构造在缓冲层内，在一个湿化学工艺步骤中，在支承的载体层的情况下，将蚀刻溶液引入到所述孔中，以便至少部分地移除所述牺牲层并且分离半导体层。

主权项：1.一种用于分离在半导体晶片上外延生长的III-V族半导体层的方法，其中，所述半导体晶片至少具有100mm的直径，所述半导体晶片构造为衬底，并且所述半导体晶片包括III-V族材料或者IV族材料，或者由III-V族材料或者IV族组成，所述半导体晶片具有上侧和下侧，在所述上侧上构造有缓冲层，在所述缓冲层的上侧上构造有牺牲层，在所述牺牲层的上方布置有用于构造结构元件的半导体层，其中，所述半导体层具有大于0.5μm的厚度，所述层分别包括III-V族材料或者由III-V族材料组成，在所述半导体层的上方构造有载体层，其中，所述载体层和所述半导体层包括不同的材料，并且所述载体层具有大于10μm的厚度，与所述半导体层相比，所述牺牲层的湿化学蚀刻率更高，且所述牺牲层的湿化学蚀刻率是所述半导体层的湿化学蚀刻率的至少10倍，所述牺牲层和所述缓冲层和所述半导体层和所述载体层分别整面地构造或者分别在半导体晶片的中央区域中整面地构造，其中，所述中央区域至少具有40mm的半径，其特征在于，在一个工艺步骤中，将所述半导体晶片引入到容纳装置中，在一个工艺步骤中，从存储器装置中读取布置在所述半导体晶片的上侧上的点的位置数据，并且所述点沿着一条线布置，在一个工艺步骤中，激光器向根据所述位置数据预给定的点运动，并且在所述点的至少一部分上借助所述激光器穿过所述载体层和构造在所述载体层下方的层产生孔，所述孔具有底部，其中，控制所述激光器，使得相应的孔的底部构造在所述缓冲层内，在一个湿化学工艺步骤中，在支承的载体层的情况下，将蚀刻溶液引入到所述孔中，以便至少部分地移除所述牺牲层并且分离所述半导体层，以所说明的顺序执行所列举的工艺步骤。

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百度查询： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 用于分离在半导体晶片上外延生长的III-V族半导体层的方法