龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开一种发光二极管外延片制备方法及外延片，在氩气作为载气的条件下生长第一子层，由于氩气具有较大的原子质量，能够提供更高的动量，提高Al原子的横向迁移效率，促进第一子层横向生长，能够降低第一子层以及后续生长的第二子层的表面粗糙度和缺陷密度，提高晶体质量；但是由于第一子层的生长速率较快，容易产生刃位错，通过设置氢气作为载气生长第二子层，由于氢气的分子质量较低，在生长时分子运动活性强，对结晶质量较差的晶体具有刻蚀和重结晶的作用，有助于减小刃位错，进一步提高晶体质量。
主权项：1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，至少包括衬底和叠层结构，所述叠层结构至少包括自下而上设置的多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂AlGaN层，制备P型掺杂AlGaN层包括以下步骤：以氩气作为载气生长第一P型掺杂AlGaN层作为第一子层；在第一子层上以氢气作为载气继续生长第二P型掺杂AlGaN层作为第二子层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管外延片制备方法及外延片
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号