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申请/专利权人：天津理工大学
摘要：本发明公开了一种提高PVT法碳化硅单晶生长速率的生长方法，属于半导体技术领域。在碳化硅PVT生长过程中在气氛中引入CO分压，并提供了CO的引入方法，包括直接通入CO或加入高熔沸点固体氧化物或通入外加气体反应生成CO；所述高熔沸点固体氧化物为二氧化硅、氧化锆或氧化钽中的一种；所述外加气体为氩氧混合气体、氦氧混合气体、CO2、水蒸气、乙醇、甲醇、H2O2、臭氧、碳酸中的一种。本发明提供的一种提高PVT法碳化硅单晶生长速率的生长方法，在碳化硅PVT生长过程中在气氛中引入CO分压，以CO为传输剂，提高碳化硅粉中碳组分传输效率，从而提高碳化硅单晶生长速率。
主权项：1.一种提高PVT法碳化硅单晶生长速率的生长方法，其特征在于：在碳化硅PVT生长过程中在气氛中引入CO分压，以CO为传输剂，提高碳化硅粉中碳组分传输效率，从而提高碳化硅单晶生长速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 一种提高PVT法碳化硅单晶生长速率的生长方法
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