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申请/专利权人：武汉大学
摘要：本申请涉及一种AlN缓冲层、LED晶圆外延片及其制备方法，AlN缓冲层的制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长复合成核层；在复合成核层表面沉积二维生长的AlN快速愈合层；在二维生长的AlN快速愈合层表面沉积二维生长的AlN慢速愈合层。本申请通过在复合成核层表面沉积二维生长的AlN快速愈合层，并在二维生长的AlN快速愈合层表面沉积二维生长的AlN慢速愈合层，在生长的过程中，原子沿着晶体取向横向排布生长，并通过层层堆叠的方式完成整个AlN缓冲层的生长，得到的AlN缓冲层具有较低的位错密度、较小的残余应力，原子级的表面平坦度和较高的光透过性，改善了AlN缓冲层的晶体质量。
主权项：1.一种AlN缓冲层的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：在蓝宝石衬底1上生长复合成核层2；在所述复合成核层2表面沉积二维生长的AlN快速愈合层3；在所述二维生长的AlN快速愈合层3表面沉积二维生长的AlN慢速愈合层4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉大学 一种AlN缓冲层、LED晶圆外延片及其制备方法
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