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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要：本发明的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，设置在第一电极之上；第二半导体区域，设置在第一半导体区域之上，第一导电型的杂质浓度低于第一半导体区域，具有第一部分和第二部分；第二导电型的第三半导体区域，设置在第一部分的另一部分之上；第一导电型的第四半导体区域，在第二方向上隔着第二部分与第三半导体区域分离；第二导电型的第五半导体区域，设置在第三半导体区域之上；第一导电型的第六半导体区域，设置在第五半导体区域之上，经由第五半导体区域的一部分与第二部分分离；栅极电极，隔着栅极绝缘层与第五半导体区域的一部分对置；及第二电极，设置在第五及第六半导体区域之上，与第五及第六半导体区域电连接。
主权项：1.一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，设置在所述第一电极之上；第一导电型的第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域之上，具有比所述第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度低的第一导电型的杂质浓度，且具有第一部分和设置在所述第一部分的一部分之上的第二部分；第二导电型的第三半导体区域，设置在所述第一部分的另一部分之上，具有比所述第二半导体区域中的第一导电型的杂质浓度高的第二导电型的杂质浓度；第一导电型的第四半导体区域，在与从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上隔着所述第二部分与所述第三半导体区域分离，具有比所述第二半导体区域的第一导电型的杂质浓度高的第一导电型的杂质浓度；第二导电型的第五半导体区域，设置在所述第三半导体区域之上；第一导电型的第六半导体区域，设置在所述第五半导体区域之上，经由所述第五半导体区域的一部分而与所述第二部分分离；栅极电极，隔着栅极绝缘层与所述第五半导体区域的所述一部分对置；以及第二电极，设置在所述第五半导体区域及所述第六半导体区域之上，与所述第五半导体区域及所述第六半导体区域电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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