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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：提供一种包括尺寸微小的晶体管的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。半导体层与第一绝缘层的顶面及侧面以及第一导电层的顶面接触。第二导电层设置在半导体层上。第二导电层在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。第二绝缘层设置在半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层与第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括膜密度比第三绝缘层高的区域。
主权项：1.一种半导体装置，包括：半导体层；第一导电层；第二导电层；第三导电层；第一绝缘层；以及第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层设置在所述第一导电层上，所述第一绝缘层包括到达所述第一导电层的第一开口，所述半导体层与所述第一绝缘层的顶面及侧面以及所述第一导电层的顶面接触，所述第二导电层设置在所述半导体层上，所述第二导电层在与所述第一开口重叠的区域中包括第二开口，所述第二绝缘层设置在所述半导体层及所述第二导电层上，所述第三导电层设置在所述第二绝缘层上，所述第一绝缘层具有第三绝缘层与所述第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构，并且，所述第四绝缘层包括膜密度比所述第三绝缘层高的区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
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