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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成初始结构，初始结构至少包括位于衬底上的导电结构；于初始结构的顶面形成保护材料层，初始结构及保护材料层构成中间结构；将中间结构置于刻蚀机台上，刻蚀保护材料层以形成保护层，初始结构与保护层构成目标结构；在预设气氛中，移除位于刻蚀机台上的目标结构，并在移除目标结构的过程中调节导电结构的阻值。上述半导体结构的制备方法能够增大导电结构的阻值调节范围，并缩短调节时间。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底上形成初始结构，所述初始结构至少包括位于所述衬底上的导电结构；于所述初始结构的顶面形成保护材料层，所述初始结构及所述保护材料层构成中间结构；将所述中间结构置于刻蚀机台上，刻蚀所述保护材料层以形成保护层，所述初始结构与所述保护层构成目标结构；在预设气氛中，移除位于所述刻蚀机台上的所述目标结构，并在移除所述目标结构的过程中调节所述导电结构的阻值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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