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申请/专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
摘要：本发明提供了一种垂直型GaN功率器件的封装方法，在垂直型GaN功率器件的势垒层的四周形成阻挡区域，在阻挡区域内沉积氮化硅形成牺牲层；在牺牲层与源极之间沉积二氧化硅，形成阻挡结构，阻挡结构的顶部高于源极的顶部，阻挡结构顶部的一端与源极相接，阻挡结构顶部的另一端与N型缓冲层的边缘齐平；在阻挡区域通过热浓磷酸湿法去除牺牲层，形成银迁移阻止区；与现有技术相比，本发明设计阻挡结构形成银迁移阻止区，迁移的银离子会在银迁移阻止区内堆积，不会越过阻挡结构搭接上源极，导致源极和漏极短路而失效，提高了垂直型GaN功率器件的使用寿命。
主权项：1.一种垂直型GaN功率器件的封装方法，其特征在于，包括：步骤1，提供N型GaN衬底，并在所述N型GaN衬底上依次生长N型缓冲层、P型阻挡层、沟道层、势垒层；步骤2，通过干法刻蚀工艺在所述势垒层的中部向下进行刻蚀，形成第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽位于所述第二凹槽和所述第三凹槽之间，所述第一凹槽的底部与所述N型缓冲层的上表面相接，所述第二凹槽、所述第三凹槽的底部均与所述沟道层的上表面相接；步骤3，在所述势垒层的四周形成阻挡区域；步骤4，在所述势垒层的上表面沉积镀膜材料，形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第一凹槽的底部及侧壁、所述第二凹槽的底部及侧壁、所述第三凹槽的底部及侧壁；步骤5，在所述第一凹槽内进行金属沉积，形成栅极；步骤6，去除所述第二凹槽的底部及侧壁、所述第三凹槽的底部及侧壁上的钝化层，并所述第二凹槽和所述第三凹槽内进行金属沉积，形成源极；步骤7，在所述N型GaN衬底的下表面进行金属沉积，形成漏极；步骤8，在所述阻挡区域内沉积氮化硅形成牺牲层；步骤9，在所述牺牲层与所述源极之间沉积二氧化硅，形成阻挡结构，所述阻挡结构的顶部高于所述源极的顶部，所述阻挡结构顶部的一端与源极相接，所述阻挡结构顶部的另一端与所述N型缓冲层的边缘齐平；步骤10，在所述阻挡区域通过热浓磷酸湿法去除所述牺牲层，形成银迁移阻止区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南国芯半导体科技有限公司 一种垂直型GaN功率器件的封装方法
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