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申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
摘要：本发明属于功率电子器件技术领域，具体涉及一种GaN肖特基二极管及其制备方法。本发明提供的GaN肖特基二极管包括衬底、设置在衬底上表面的GaN层、AlGaN层、阴极、钝化层和阳极；阴极同时与GaN层和AlGaN层欧姆接触；AlGaN层上表面远离所述阴极的一侧且非边缘的区域设置有多个分离的P‑GaN柱，相邻P‑GaN柱之间填充有NiO层；所述阳极的一部分与所述P‑GaN柱和NiO层肖特基接触。本发明对GaN肖特基二极管的结构和材料进行优化，利用NiO的弱p型半导体性能，降低了正向开启电压；同时利用p‑GaN柱对二维电子气的强耗尽作用，保证了器件具有高的反向耐压，有效提高了GaN肖特基二极管的性能。
主权项：1.一种GaN肖特基二极管，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底上表面的GaN层、设置在所述GaN层上表面的AlGaN层、阴极、阳极和钝化层；所述阴极同时与所述GaN层和所述AlGaN层欧姆接触；所述AlGaN层上表面远离所述阴极的一侧且非边缘的区域设置有多个分离的P-GaN柱，相邻P-GaN柱之间填充有NiO层，所述NiO层的厚度≤所述P-GaN柱的高度；所述钝化层覆盖所述AlGaN层剩余上表面；所述阳极包括相互接触的第一部分和第二部分，所述第一部分同时与所述GaN层和所述AlGaN层欧姆接触，所述第二部分同时覆盖在所述多个P-GaN柱和所述NiO层上表面，且与所述P-GaN柱和NiO层肖特基接触。
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权利要求：
百度查询： 江苏能华微电子科技发展有限公司 一种GaN肖特基二极管及其制备方法
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