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申请/专利权人：天津工业大学
摘要：本发明公开了一种基于GaN的正向发光共N极全彩微显示阵列及制作方法，属于半导体发光芯片和显示应用技术领域，基于GaN的正向发光共N极全彩微显示阵列包括衬底、缓冲层、共N极高掺杂GaN层、N电极层、GaNInGaN多量子阱有源区、P电极层、N电极点、绝缘层、N极引脚、P极引脚、透明电极层、二次发光材料层和透光保护层；本发明将电极面作为出光面，并且使用透明电极取代金属电极，并且用透明电极层取代电路板的使用；解决了现有技术以衬底面作为出光面，导致光串扰现象和需要与电路板进行焊接，结构复杂、工序繁多、工艺实现上良率低的问题。
主权项：1.一种基于GaN的正向发光共N极全彩微显示阵列，其特征在于：包括衬底1，位于所述衬底1上表面的缓冲层2，位于所述缓冲层2上表面的共N极高掺杂GaN层3，位于所述共N极高掺杂GaN层3上表面的N电极层4，位于所述N电极层4上表面的GaNInGaN多量子阱有源区5，位于所述GaNInGaN多量子阱有源区5上表面的P电极层6，位于所述共N极高掺杂GaN层3上方、阵列芯片两端的N电极点8，填充在N电极点8和MicroLED阵列芯片单元之间的绝缘层7，位于P电极层6上表面的透明电极层9和位于所述N电极点8上表面的N极引脚2-1以及位于透明电极层9两端的P极引脚2-2，在透明电极层9上表面按单颗芯片位置和尺寸制作的二次发光材料层11和在最上层的透光保护层10。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津工业大学 基于GaN的正向发光共N极全彩微显示阵列及制作方法
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